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首页 全部分类 NTJD4152PT2G vs BSD816SNH6327XTSA1

NTJD4152PT2G备选型号: BSD816SNH6327XTSA1

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 引脚数
  • 系列
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NTJD4152PT2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6
    11 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    272mW
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    272mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    260m Ω @ 880mA, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    155pF @ 20V
    2.2nC @ 4.5V
    20V
    880mA
    0.88A
    0.26Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD816SNH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH
    8 Weeks
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    -
    1.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    160m Ω @ 1.4A, 2.5V
    0.95V @ 3.7μA
    180pF @ 10V
    0.6nC @ 2.5V
    -
    1.4A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    表面贴装
    6
    OptiMOS™
    no
    Single
    5.3 ns
    9ns
    ±8V
    8V
    20V
    800μm
    2mm
    1.25mm
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