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首页 全部分类 NTJD4152PT2G vs DMP2200UDW-7

NTJD4152PT2G备选型号: DMP2200UDW-7

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  • 零件状态
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 引脚数
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • ON Semiconductor
    NTJD4152PT2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6
    11 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    272mW
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    272mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    260m Ω @ 880mA, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    155pF @ 20V
    2.2nC @ 4.5V
    20V
    880mA
    0.88A
    0.26Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2200UDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    450mW
    鸥翼
    260
    30
    -
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    260m Ω @ 880mA, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    184pF @ 10V
    2.1nC @ 4.5V
    20V
    900mA
    0.9A
    -
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    Tin
    表面贴装
    6
    9.8 ns
    88ns
    45 ns
    8V
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