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首页 全部分类 NTJD5121NT1G vs MMBF2202PT1G

NTJD5121NT1G备选型号: MMBF2202PT1G

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  • 基本部件号
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • Vgs（最大值）
  • ON Semiconductor
    NTJD5121NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1.6Ohm
    低阈值
    266mW
    鸥翼
    NTJD5121N
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    250W
    22 ns
    250mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 500mA, 10V
    2.5V @ 250μA
    26pF @ 20V
    0.9nC @ 4.5V
    34ns
    60V
    32 ns
    295mA
    1.7V
    20V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.7 V
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MMBF2202PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V 300mA P-Channel
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    -
    -
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    3
    SILICON
    300mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    3
    Single
    增强型MOSFET
    150mW
    -
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 200mA, 10V
    2.4V @ 250μA
    50pF @ 5V
    2.7nC @ 10V
    1ns
    -
    1 ns
    300mA
    -1.7V
    20V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    Tin (Sn)
    -20V
    DUAL
    260
    -300mA
    40
    不合格
    ±20V
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