ON Semiconductor NTJD5121NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

34 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.6Ohm

附加功能

低阈值

最大功率耗散

266mW

终端形式

鸥翼

基本部件号

NTJD5121N

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250W

接通延迟时间

22 ns

功率 - 最大

250mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

26pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.9nC @ 4.5V

上升时间

34ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

295mA

阈值电压

1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.7 V

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅