NTL4502NT1备选型号: IRFH7911TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 电阻
- 附加功能
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN表面贴装表面贴装16-PowerQFN16SILICON4-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e0Obsolete1 (Unlimited)16EAR99Tin/Lead (Sn90Pb10)24V1.7WQUAD无铅240not_compliant15A3016不合格SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.9WDRAIN4 N-Channel (H-Bridge)SWITCHING11m Ω @ 15A, 10V2V @ 250μA1605pF @ 20V13nC @ 4.5V28ns6 ns11.4A20V0.013Ohm24V32A80 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门Non-RoHS Compliant含铅-------------
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN表面贴装表面贴装18-PowerVQFN18SILICON13A 28A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3不用于新设计2 (1 Year)6EAR99Matte Tin (Sn)-3.4WQUAD无铅260--30-不合格-增强型MOSFET2.4W排水源头2 N-Channel (Dual)SWITCHING8.6m Ω @ 12A, 10V2.35V @ 25μA1060pF @ 15V12nC @ 4.5V--13A20V-30V100A-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant无铅39 WeeksHEXFET®8.6MOhmHIGH RELIABILITYIRFH7911PBFR-PQFP-N6Dual2.4W 3.4W2.35 V939.8μm5.9944mm5mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 18-PowerVQFN | MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN | 对比 |
![]() | IRFHM9331TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN | 对比 |




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