ON Semiconductor NTL4502NT1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

16-PowerQFN

引脚数

16

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

4

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

16

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn90Pb10)

电压 - 额定直流

24V

最大功率耗散

1.7W

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

16

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.9W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

4 N-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1605pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 4.5V

上升时间

28ns

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

11.4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.013Ohm

漏源击穿电压

24V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32A

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅