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首页 全部分类 NTL4502NT1 vs IRFH8334TRPBF

NTL4502NT1备选型号: IRFH8334TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • 附加功能
  • JESD-30代码
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTL4502NT1
    ON Semiconductor
    MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
    表面贴装
    表面贴装
    16-PowerQFN
    16
    SILICON
    4
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    Tin/Lead (Sn90Pb10)
    24V
    1.7W
    QUAD
    无铅
    240
    not_compliant
    15A
    30
    16
    不合格
    SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.9W
    DRAIN
    4 N-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    11m Ω @ 15A, 10V
    2V @ 250μA
    1605pF @ 20V
    13nC @ 4.5V
    28ns
    6 ns
    11.4A
    20V
    0.013Ohm
    24V
    32A
    80 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    14A Ta 44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    260
    -
    -
    30
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    4.6 ns
    14A
    20V
    0.009Ohm
    30V
    -
    35 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    HEXFET®
    HIGH RELIABILITY
    R-PDSO-F5
    8.3 ns
    ±20V
    1.8 V
    无SVHC
    无
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