您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NTLGF3501NT1G vs DMN2050LFDB-7

NTLGF3501NT1G备选型号: DMN2050LFDB-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 参考标准
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTLGF3501NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    SILICON
    2.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FETKY™
    2006
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    DUAL
    C 弯管
    260
    3.4A
    40
    6
    R-XDSO-C6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.74W
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 3.4A, 4.5V
    2V @ 250μA
    275pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    13.6ns
    ±12V
    13.6 ns
    2.8A
    12V
    0.09Ohm
    20V
    13.8A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2050LFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    -
    260
    -
    30
    -
    S-PDSO-N6
    -
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    45m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    389pF @ 10V
    12nC @ 10V
    8ns
    -
    8 ns
    3.3A
    12V
    0.045Ohm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    20 Weeks
    HIGH RELIABILITY
    730mW
    AEC-Q101
    DRAIN
    5 ns
    20V
    4.5A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMS2120LFWB-7 DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-VDFN Exposed Pad MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 对比
DMN2050LFDB-7 DMN2050LFDB-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-UDFN Exposed Pad MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN 对比
NTLTD7900ZR2G NTLTD7900ZR2G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-VDFN Exposed Pad MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO 对比