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首页 全部分类 NTLGF3501NT1G vs NTLTD7900ZR2G

NTLGF3501NT1G备选型号: NTLTD7900ZR2G

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
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  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 箱体转运
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    NTLGF3501NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    SILICON
    2.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FETKY™
    2006
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    DUAL
    C 弯管
    260
    3.4A
    40
    6
    R-XDSO-C6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.74W
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 3.4A, 4.5V
    2V @ 250μA
    275pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    13.6ns
    ±12V
    13.6 ns
    2.8A
    12V
    0.09Ohm
    20V
    13.8A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLTD7900ZR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    -
    无铅
    260
    9A
    40
    8
    -
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    1.5W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    26m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    15pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    1.17ns
    -
    1.17 ns
    6A
    12V
    0.026Ohm
    20V
    30A
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    8
    yes
    防静电
    1.5W
    NTLTD7900Z
    DRAIN
    6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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