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首页 全部分类 NTLUS3A18PZTBG vs DMN2016LFG-7

NTLUS3A18PZTBG备选型号: DMN2016LFG-7

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  • 箱体转运
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTLUS3A18PZTBG
    ON Semiconductor
    Single P-Channel Power MOSFET with ESD Protection -20V -8.2A 18mO
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    5.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    µCool™
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    DUAL
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    DRAIN
    8.6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 7A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2240pF @ 15V
    28nC @ 4.5V
    15ns
    20V
    ±8V
    88 ns
    5.1A
    8V
    8.2A
    0.018Ohm
    -20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2016LFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    -
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    -
    -
    2.6 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    18m Ω @ 6A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1472pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    13.2ns
    20V
    -
    46.8 ns
    5.2A
    8V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    18mOhm
    770mW
    260
    40
    DMN2016L
    AEC-Q101
    S-PDSO-N5
    2
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
  • 添加型号
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