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首页 全部分类 NTMD4184PFR2G vs IRF9389TRPBF

NTMD4184PFR2G备选型号: IRF9389TRPBF

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  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 元素配置
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  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMD4184PFR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.31W
    7.2 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    95m Ω @ 3A, 10V
    3V @ 250μA
    360pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    12ns
    30V
    ±20V
    2.8 ns
    2.3A
    20V
    4A
    0.095Ohm
    -30V
    Schottky Diode (Isolated)
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9389TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    6.8A 4.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 6.8A, 10V
    2.3V @ 10μA
    398pF @ 15V
    14nC @ 10V
    14ns
    -
    -
    15 ns
    4.6A
    20V
    -
    -
    30V
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    2W
    IRF9389
    Dual
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1.8V
    34A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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