NTMD4184PFR2G备选型号: NDS9952A
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 终端
- 电阻
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 极性/通道类型
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 栅源电压
- 达到SVHC
- MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOICACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)38 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼8SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.31W7.2 nsP-ChannelSWITCHING95m Ω @ 3A, 10V3V @ 250μA360pF @ 10V4.2nC @ 4.5V12ns30V±20V2.8 ns2.3A20V4A0.095Ohm-30VSchottky Diode (Isolated)无ROHS3 Compliant无铅-------------
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON3.7A 2.9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)-鸥翼--增强型MOSFET2W-N and P-ChannelSWITCHING80m Ω @ 1A, 10V2.8V @ 250μA320pF @ 10V25nC @ 10V21ns--8 ns3.7A20V--30V逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅230.4mgSMD/SMT80MOhm900mW2.9ADualN-CHANNEL AND P-CHANNEL1.7V15A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR1.7 V无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF9389TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | 对比 |
| NDS9952A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
| NTMD4884NFR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC | 对比 |



哦! 它是空的。