ON Semiconductor NTMD4184PFR2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)

工厂交货时间

38 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

770mW Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.31W

接通延迟时间

7.2 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

95m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

360pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.2nC @ 4.5V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.8 ns

连续放电电流(ID)

2.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.095Ohm

漏源击穿电压

-30V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅