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首页 全部分类 NTMD4820NR2G vs FDS8449

NTMD4820NR2G备选型号: FDS8449

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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 系列
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMD4820NR2G
    ON Semiconductor
    Dual N-Channel 30 V 27 mOhm 7.7 nC 1.28 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
    2 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    Tin
    YES
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    8
    SILICON
    4.9A
    2007
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1.29W
    鸥翼
    NTMD4820N
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    1.28W
    9.4 ns
    750mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    940pF @ 15V
    7.7nC @ 4.5V
    4ns
    4 ns
    6.4A
    20V
    4.9A
    0.02Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    4mm
    5mm
    1.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8449
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-Pin SOIC N T/R
    9 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    8
    SILICON
    1
    2005
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    9 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    29m Ω @ 7.6A, 10V
    3V @ 250μA
    760pF @ 20V
    11nC @ 5V
    5ns
    3 ns
    7.6A
    20V
    -
    -
    40V
    -
    -
    4mm
    5mm
    1.5mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    130mg
    PowerTrench®
    29MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    40V
    DUAL
    未说明
    7.6A
    未说明
    不合格
    ±20V
    1.9V
    1.9 V
    无SVHC
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