ON Semiconductor NTMD4820NR2G

工厂交货时间

2 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

触点镀层

Tin

表面安装

YES

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.9A

Turn Off Delay Time

21 ns

Number of Elements

1

已出版

2007

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.29W

终端形式

鸥翼

基本部件号

NTMD4820N

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.28W

接通延迟时间

9.4 ns

功率 - 最大

750mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

940pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.7nC @ 4.5V

上升时间

4ns

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

6.4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

宽度

4mm

长度

5mm

高度

1.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅