NTMFD4C85NT1G备选型号: NTMFS4898NFT3G
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
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- 引脚数量
- 元素配置
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- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET NFET SO8FL 30V 40A 1.2MOH24 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN815.4A 29.7A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014yesObsolete1 (Unlimited)1.13W2 N-Channel (Dual) Asymmetrical3m Ω @ 20A, 10V2.1V @ 250μA1960pF @ 15V32nC @ 10V30V29.7AStandard符合RoHS标准无铅-----------------------------
- MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN, 5 Leads513.2A Ta 117A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007yesObsolete1 (Unlimited)-N-Channel3m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 1mA3233pF @ 12V49.5nC @ 10V-117A-符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)SILICONe35EAR99Tin (Sn)DUALFLAT5Single增强型MOSFET73.5WDRAIN17.6 nsSWITCHING23ns±20V8.3 ns1.5V20V0.0048Ohm30V234A228 mJ1.1mm5.1mm6.1mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN32D2LFB4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN | 对比 |
![]() | ZXMC3AMCTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-WDFN Exposed Pad | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | 对比 |
![]() | DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | 对比 |






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