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首页 全部分类 NTMFD4C85NT1G vs ZXMC3AMCTA

NTMFD4C85NT1G备选型号: ZXMC3AMCTA

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMFD4C85NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 40A 1.2MOH
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    15.4A 29.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.13W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    3m Ω @ 20A, 10V
    2.1V @ 250μA
    1960pF @ 15V
    32nC @ 10V
    30V
    29.7A
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMC3AMCTA
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-WDFN Exposed Pad
    8
    2.9A 2.1A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    1.7W
    N and P-Channel
    120m Ω @ 2.5A, 10V
    3V @ 250μA
    190pF @ 25V
    3.9nC @ 10V
    30V
    2.1A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e4
    8
    EAR99
    210mOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    8
    增强型MOSFET
    2.45W
    DRAIN
    1.5 ns
    SWITCHING
    2.8ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    7.5 ns
    20V
    3.7A
    -30V
    13A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    780μm
    3.08mm
    2.075mm
    无SVHC
    无
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