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首页 全部分类 NTMFS4897NFT1G vs NTMFS4852NT3G

NTMFS4897NFT1G备选型号: NTMFS4852NT3G

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    NTMFS4897NFT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    17A Ta 171A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2MOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    96.2W
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 22A, 10V
    2.5V @ 1mA
    5660pF @ 15V
    83.6nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    13 ns
    17A
    2V
    20V
    30V
    288A
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4852NT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET,N CH,W DIODE,30V,16A,SO8 FL
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    16A Ta 155A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    21.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4970pF @ 12V
    71.3nC @ 10V
    25.6ns
    ±20V
    12 ns
    155A
    -
    20V
    -
    -
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    30V
    0.0033Ohm
    30V
    360 mJ
    1.8 V
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