ON Semiconductor NTMFS4897NFT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

表面安装

YES

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Ta 171A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

950mW Ta 96.2W Tc

Turn Off Delay Time

36 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

2MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

96.2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

26 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2m Ω @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5660pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

83.6nC @ 10V

上升时间

24ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

17A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

288A

高度

1.1mm

长度

5.1mm

宽度

6.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅