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首页 全部分类 NTMFS4934NT3G vs NTMFS4833NT1G

NTMFS4934NT3G备选型号: NTMFS4833NT1G

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMFS4934NT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    17.1A Ta 147A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    930mW
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    5505pF @ 15V
    34nC @ 4.5V
    36.2ns
    ±20V
    9.4 ns
    147A
    20V
    0.003Ohm
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4833NT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SO-FL T/R
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    16A Ta 156A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    6
    Single
    增强型MOSFET
    2.35W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    5600pF @ 12V
    88nC @ 11.5V
    34ns
    ±20V
    17 ns
    191A
    20V
    -
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2MOhm
    260
    40
    1.5V
    288A
    1mm
    4.9mm
    5.8mm
    无SVHC
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