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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.356756
10
¥8.827131
100
¥8.32748
500
¥7.85611
1000
¥7.41143
ON Semiconductor NTMFS4934NT3G
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- 对比
NTMFS4934NT3G
1807-NTMFS4934NT3G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN, 5 Leads
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MOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTMFS4934NT3G详情
ON Semiconductor NTMFS4934NT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN, 5 Leads
表面安装
YES
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17.1A Ta 147A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
930mW Ta 69.44W Tc
Turn Off Delay Time
39.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
930mW
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5505pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34nC @ 4.5V
上升时间
36.2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
9.4 ns
连续放电电流(ID)
147A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.003Ohm
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTMFS4934NT3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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