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首页 全部分类 NTMFS4982NFT1G vs NTMFS4852NT3G

NTMFS4982NFT1G备选型号: NTMFS4852NT3G

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMFS4982NFT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin SO-FL T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    5
    SILICON
    26.5A Ta 207A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    17.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3m Ω @ 25A, 10V
    2.2V @ 1mA
    6000pF @ 15V
    84nC @ 10V
    31.6ns
    ±20V
    12 ns
    207A
    20V
    36A
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4852NT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET,N CH,W DIODE,30V,16A,SO8 FL
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    16A Ta 155A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    5
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    21.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4970pF @ 12V
    71.3nC @ 10V
    25.6ns
    ±20V
    12 ns
    155A
    20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    30V
    0.0033Ohm
    30V
    360 mJ
    1.8 V
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
    无SVHC
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