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首页 全部分类 NTMFS4C03NT1G vs BSC0501NSIATMA1

NTMFS4C03NT1G备选型号: BSC0501NSIATMA1

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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 连续放电电流(ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    NTMFS4C03NT1G
    ON Semiconductor
    Single N-Channel Power MOSFET 30V, 136A, 2.1mO
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    30A Ta 136A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3071pF @ 15V
    45.2nC @ 10V
    30V
    ±20V
    136A
    900A
    30V
    549 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC0501NSIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    29A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.9m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    2200pF @ 15V
    33nC @ 10V
    -
    ±20V
    100A
    400A
    -
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    OptiMOS™
    无卤素
    4ns
    20V
    30V
    29A
    0.0024Ohm
    Schottky Diode (Body)
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