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首页 全部分类 NTMFS4C03NT1G vs IRFH8311TRPBF

NTMFS4C03NT1G备选型号: IRFH8311TRPBF

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  • 终端形式
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMFS4C03NT1G
    ON Semiconductor
    Single N-Channel Power MOSFET 30V, 136A, 2.1mO
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    30A Ta 136A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3071pF @ 15V
    45.2nC @ 10V
    30V
    ±20V
    136A
    900A
    30V
    549 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8311TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    8
    -
    32A Ta 169A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4960pF @ 10V
    66nC @ 10V
    -
    ±20V
    32A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    EAR99
    3.6W
    21 ns
    26ns
    12 ns
    20V
    30V
    无
  • 添加型号
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