NTMFS4H01NFT1G备选型号: FDMS8050ET30
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 系列
- 元素配置
- Single N-Channel Power MOSFET 25V, 334A, 0.7mO 25 V, 334 A, Single N?Channel, SO?8FLACTIVE (Last Updated: 3 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN854A Ta 334A Tc150°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明SingleN-Channel0.7m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 250μA5538pF @ 12V82nC @ 10V25V±20V334AROHS3 Compliant无铅---
- MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFNACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN855A Ta 423A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2017e3yes不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)260not_compliant未说明-N-Channel0.65m Ω @ 55A, 10V3V @ 750μA22610pF @ 15V285nC @ 10V30V±20V423AROHS3 Compliant无铅56.5mgPowerTrench®Single
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6718L2TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L6 | MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 | 对比 |
![]() | IRFHE4250DTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 32-PowerWFQFN | MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN | 对比 |
![]() | IRF6718L2TR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L6 | MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 | 对比 |




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