Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF
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IRFHE4250DTRPBF
1211-IRFHE4250DTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
32-PowerWFQFN
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MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
--最小包装量--
IRFHE4250DTRPBF详情
Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
32-PowerWFQFN
引脚数
30
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
86A 303A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FASTIRFET™
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
156W
基本部件号
IRFHE4250
元素配置
Dual
功率耗散
156W
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.75m Ω @ 27A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 35μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1735pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 4.5V
上升时间
54ns
漏源电压 (Vdss)
25V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
303A
阈值电压
1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
900μm
长度
6mm
宽度
5mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRFHE4250DTRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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