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首页 全部分类 NTMFS4H01NFT1G vs IRFHE4250DTRPBF

NTMFS4H01NFT1G备选型号: IRFHE4250DTRPBF

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  • 基本部件号
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMFS4H01NFT1G
    ON Semiconductor
    Single N-Channel Power MOSFET 25V, 334A, 0.7mO 25 V, 334 A, Single N?Channel, SO?8FL
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    54A Ta 334A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    0.7m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    5538pF @ 12V
    82nC @ 10V
    25V
    ±20V
    334A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHE4250DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    32-PowerWFQFN
    30
    86A 303A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    2.75m Ω @ 27A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1735pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    25V
    -
    303A
    符合RoHS标准
    无铅
    FASTIRFET™
    156W
    IRFHE4250
    Dual
    156W
    17 ns
    54ns
    16 ns
    1.6V
    16V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    900μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
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