NTMFS4H01NT1G备选型号: FDMS8050ET30
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 触点镀层
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 系列
- 端子表面处理
- 元素配置
- MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MO36 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFNTin84.5V 10V2.1V @ 250μA150°C TJTape & Reel (TR)2014e3yesACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)EAR99未说明未说明SingleN-Channel0.7m Ω @ 30A, 10V5693pF @ 12V85nC @ 10V25V±20V334A20Vnot_compliantROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN6 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN-855A Ta 423A Tc3V @ 750μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2017e3yesACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)1 (Unlimited)EAR99260未说明-N-Channel0.65m Ω @ 55A, 10V22610pF @ 15V285nC @ 10V30V±20V423A-not_compliantROHS3 Compliant无铅56.5mgPowerTrench®Tin (Sn)Single
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6718L2TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L6 | MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 | 对比 |
| NVMFS4C01NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL | 对比 | |
![]() | IRF6718L2TR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L6 | MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 | 对比 |



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