NTMFS4H01NT1G备选型号: IRF6718L2TR1PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MO
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    36 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    54A Ta 334A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    0.7m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    5693pF @ 12V
    85nC @ 10V
    25V
    ±20V
    334A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L6
    13
    61A Ta 270A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    0.7mOhm @ 61A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6500pF @ 13V
    96nC @ 4.5V
    25V
    ±20V
    61A
    20V
    符合RoHS标准
    无铅
    DIRECTFET L6
    HEXFET®
    SMD/SMT
    500kOhm
    175°C
    -55°C
    Single
    4.3W
    67 ns
    140ns
    53 ns
    1.9V
    25V
    25V
    6.5nF
    59 ns
    700μOhm
    700 μΩ
    1.9 V
    508μm
    9.144mm
    7.1mm
    无SVHC
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