NTMFS4H01NT1G备选型号: IRF6718L2TR1PBF
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- 引脚数
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 系列
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- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MOACTIVE (Last Updated: 1 day ago)36 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN854A Ta 334A Tc150°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99未说明not_compliant未说明SingleN-Channel0.7m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 250μA5693pF @ 12V85nC @ 10V25V±20V334A20VROHS3 Compliant无铅------------------------
- MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6---表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L61361A Ta 270A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011--Obsolete1 (Unlimited)-----N-Channel0.7mOhm @ 61A, 10V2.35V @ 150μA6500pF @ 13V96nC @ 4.5V25V±20V61A20V符合RoHS标准无铅DIRECTFET L6HEXFET®SMD/SMT500kOhm175°C-55°CSingle4.3W67 ns140ns53 ns1.9V25V25V6.5nF59 ns700μOhm700 μΩ1.9 V508μm9.144mm7.1mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6718L2TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L6 | MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 | 对比 |
| NVMFS4C01NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL | 对比 | |
![]() | IRF6718L2TR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L6 | MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 | 对比 |



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