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首页 全部分类 NTMFS5C646NLT1G vs NTMFS5C670NLT1G

NTMFS5C646NLT1G备选型号: NTMFS5C670NLT1G

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  • 终端形式
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C646NLT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10.4 ns
    N-Channel
    4.7m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    2164pF @ 25V
    33.7nC @ 10V
    14.9ns
    ±20V
    5.1 ns
    19A
    2V
    20V
    0.0063Ohm
    60V
    750A
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C670NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    5
    -
    17A Ta 71A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    not_compliant
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    11 ns
    N-Channel
    6.1m Ω @ 35A, 10V
    2V @ 250μA
    1400pF @ 25V
    20nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    71A
    2V
    20V
    -
    -
    -
    1.95mm
    5.1mm
    6.1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    60V
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