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首页 全部分类 NTMSD6N303R2G vs FDS4935A

NTMSD6N303R2G备选型号: FDS4935A

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMSD6N303R2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FETKY™
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    6A
    40
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    N-Channel
    SWITCHING
    32m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    950pF @ 24V
    30nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    45 ns
    6A
    20V
    6A
    0.032Ohm
    30V
    30A
    325 mJ
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS4935A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -30V
    -
    鸥翼
    -
    -7A
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.6W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    23m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    1233pF @ 15V
    21nC @ 5V
    10ns
    -
    25 ns
    7A
    20V
    -
    -
    -30V
    -
    -
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    Tin
    SMD/SMT
    23MOhm
    900mW
    30V
    Dual
    7A
    13 ns
    -1.6V
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -1.6 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
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