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首页 全部分类 NTP22N06 vs KSD1408OTU

NTP22N06备选型号: KSD1408OTU

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最大功率耗散
  • 频率
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • ON Semiconductor
    NTP22N06
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    22A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    60V
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    22A
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    700pF @ 25V
    32nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    22A
    TO-220AB
    0.06Ohm
    66A
    72 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    KSD1408OTU
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 80V 4A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    80V
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    80V
    -
    -
    -
    4A
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    -
    -
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    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2.27g
    450mV
    25W
    8MHz
    Single
    25W
    8MHz
    NPN
    80V
    4A
    70 @ 500mA 5V
    30μA ICBO
    1.5V @ 300mA, 3A
    80V
    5V
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