ON Semiconductor KSD1408OTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

质量

2.27g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

450mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

25W

额定电流

4A

频率

8MHz

元素配置

Single

功率耗散

25W

增益带宽积

8MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

30μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 300mA, 3A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅