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NTP22N06备选型号: NTP27N06L

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • HTS代码
  • ON Semiconductor
    NTP22N06
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    22A Ta
    4V @ 250μA
    2004
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    60V
    SINGLE
    未说明
    22A
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 11A, 10V
    700pF @ 25V
    32nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    22A
    TO-220AB
    0.06Ohm
    66A
    72 mJ
    not_compliant
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
  • ON Semiconductor
    NTP27N06L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    27A Ta
    2V @ 250μA
    2004
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    60V
    SINGLE
    未说明
    27A
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    48m Ω @ 13.5A, 5V
    990pF @ 25V
    32nC @ 5V
    -
    ±15V
    27A
    TO-220AB
    0.048Ohm
    80A
    94 mJ
    not_compliant
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    8541.29.00.95
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