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首页 全部分类 NTP5864NG vs IPP120N06NGAKSA1

NTP5864NG备选型号: IPP120N06NGAKSA1

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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 资历状况
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTP5864NG
    ON Semiconductor
    NTP5864NG N-channel MOSFET Transistor; 63 A; 60 V; 3-Pin TO-220
    20 Weeks
    NO
    TO-220-3
    通孔
    3
    SILICON
    4V @ 250μA
    18 ns
    2011
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    107W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    12.4m Ω @ 20A, 10V
    1680pF @ 25V
    31nC @ 10V
    6.4ns
    ±20V
    4.6 ns
    63A
    TO-220AB
    20V
    60V
    252A
    80 mJ
    15.75mm
    10.28mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP120N06NGAKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    -
    -
    TO-220-3
    通孔
    3
    SILICON
    4V @ 94μA
    158W Tc
    2011
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    N-Channel
    12m Ω @ 75A, 10V
    2100pF @ 30V
    62nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    75A
    TO-220AB
    -
    -
    -
    280 mJ
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    -
    通孔
    OptiMOS™
    雪崩 额定
    SINGLE
    260
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    60V
    0.012Ohm
    60V
    unknown
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