NTP5864NG备选型号: IPP45N06S409AKSA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 底架
- 系列
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- NTP5864NG N-channel MOSFET Transistor; 63 A; 60 V; 3-Pin TO-22020 WeeksNOTO-220-3通孔3SILICON4V @ 250μA18 ns2011Tube-55°C~175°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)Single增强型MOSFET107WDRAIN10 nsN-Channel12.4m Ω @ 20A, 10V1680pF @ 25V31nC @ 10V6.4ns±20V4.6 ns63ATO-220AB20V60V252A80 mJ15.75mm10.28mm4.82mmROHS3 Compliant无无铅--------
- MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3--TO-220-3通孔3SILICON4V @ 34μA45A Tc2006Tube-55°C~175°C TJ--Discontinued1 (Unlimited)3EAR99--增强型MOSFET--15 nsN-Channel9.4m Ω @ 45A, 10V3785pF @ 25V47nC @ 10V40ns±20V5 ns45ATO-220AB20V-180A97 mJ---ROHS3 Compliant--通孔OptiMOS™SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE60V0.0094Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP120N06NGAKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |
| BUK7514-60E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 60V 58A 3-Pin TO-220AB Rail | 对比 | |
![]() | IPP45N06S409AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 | 对比 |




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