您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NTQD6968R2 vs FDW2511NZ

NTQD6968R2备选型号: FDW2511NZ

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTQD6968R2
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    20V
    940mW
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    6.6A
    未说明
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.42W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22m Ω @ 6.6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    900pF @ 16V
    20nC @ 4.5V
    6.6A
    5.4A
    0.022Ohm
    20A
    150 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDW2511NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    -
    7.1A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    20V
    1.6W
    -
    -
    -
    7.1A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.6W
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    20mOhm @ 7.1A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1000pF @ 10V
    17.3nC @ 4.5V
    7.1A
    -
    -
    -
    -
    -
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    8
    8-TSSOP
    PowerTrench®
    150°C
    -55°C
    1.6W
    84ns
    20V
    84 ns
    800mV
    12V
    20V
    1nF
    20mOhm
    20 mΩ
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDW2507N FDW2507N ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP 对比
FDW2511NZ FDW2511NZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP 对比
NTQS6463R2 NTQS6463R2 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP 对比