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首页 全部分类 NTQD6968R2 vs NTQS6463R2

NTQD6968R2备选型号: NTQS6463R2

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    NTQD6968R2
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    20V
    940mW
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    6.6A
    未说明
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.42W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22m Ω @ 6.6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    900pF @ 16V
    20nC @ 4.5V
    6.6A
    5.4A
    0.022Ohm
    20A
    150 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTQS6463R2
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    SILICON
    6.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn90Pb10)
    -20V
    -
    鸥翼
    240
    not_compliant
    -6.8A
    30
    8
    -
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 6.8A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    -
    50nC @ 5V
    6.8A
    5.5A
    0.02Ohm
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
    8
    no
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    1.39W
    22ns
    20V
    ±12V
    22 ns
    12V
    -20V
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