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首页 全部分类 NTR4101PT1H vs MCH3476-TL-H

NTR4101PT1H备选型号: MCH3476-TL-H

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
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  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NTR4101PT1H
    ON Semiconductor
    MOSFET
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 1.6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    675pF @ 10V
    8.5nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    1.8A
    2.4A
    0.085Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH3476-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES
    2 Weeks
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    YES
    3
    SILICON
    2A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    DUAL
    -
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    -
    125m Ω @ 1A, 4.5V
    -
    128pF @ 10V
    1.8nC @ 4.5V
    -
    ±12V
    2A
    2A
    0.125Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    yes
    3
    800mW
    5.1 ns
    无卤素
    11ns
    12 ns
    12V
    20V
    850μm
    2mm
    1.6mm
    无
    无铅
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