ON Semiconductor NTR4101PT1H

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

420mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 1.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

675pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

1.8A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.085Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant