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NTR5198NLT1G备选型号: NVR5198NLT1G
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 触点镀层
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH10 WeeksYESTinTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装31.437803gSILICON900mW Ta2.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL鸥翼2601Single增强型MOSFET1.5W5 nsN-Channel155m Ω @ 1A, 10V无卤素182pF @ 25V2.8nC @ 4.5V7ns±20V2 ns2.2A2.5V20V0.205Ohm60V1.01mm3.04mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅- MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH4 WeeksYESTinTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装3--900mW Ta2.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)-EAR99---1Single-1.5W5 nsN-Channel155m Ω @ 1A, 10V无卤素182pF @ 25V5.1nC @ 10V7ns±20V2 ns2.2A2.5V20V-60V---无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | 对比 |
| NVR5198NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH | 对比 |
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