ON Semiconductor NTR5198NLT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

质量

1.437803g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

900mW Ta

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

155m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

182pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.8nC @ 4.5V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

2.2A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.205Ohm

漏源击穿电压

60V

高度

1.01mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅