Infineon Technologies BSS84PH6433XTMA1

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

Turn Off Delay Time

8.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

SIPMOS®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360mW

接通延迟时间

6.7 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ω @ 170mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 20μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

19pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.5nC @ 10V

上升时间

16.2ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20.5 ns

连续放电电流(ID)

-170mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

8Ohm

漏源击穿电压

-60V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.1mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant