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NTTFS4939NTWG备选型号: IRFH7936TRPBF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- 配置
- 功率耗散
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFNACTIVE (Last Updated: 1 week ago)18 Weeks表面贴装8-PowerWDFNYES8SILICON8.9A Ta 52A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUAL8S-XDSO-N5Single增强型MOSFETDRAIN12.2 nsN-ChannelSWITCHING5.5m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 250μA1979pF @ 15V28nC @ 10V20.6ns30V±20V3.9 ns52A20V30V无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN-16 Weeks表面贴装8-PowerTDFN-8-20A Ta 54A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009--Obsolete1 (Unlimited)-EAR99-----增强型MOSFET-17 nsN-Channel-4.8m Ω @ 20A, 10V2.35V @ 50μA2360pF @ 15V26nC @ 4.5V12ns-±20V7 ns54A20V-无ROHS3 Compliant无铅表面贴装HEXFET®Single3.1W76A30V1.1684mm5.2324mm6.1468mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH7936TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | 对比 |
 | NTD4906N-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK | 对比 |
 | NTMFS4839NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL | 对比 |
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