NTUD3169CZT5G备选型号: NTUD3170NZT5G

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  • 型号:
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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - NTUD3169CZT5G - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 220 mA, 0.75 ohm, SOT-963, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-963
    YES
    6
    SILICON
    220mA 200mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    710mW
    FLAT
    NTUD3169CZ
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    200mW
    26 ns
    125mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    12.5pF @ 15V
    46ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    145 ns
    280mA
    1V
    8V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    400μm
    1.05mm
    850μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-963
    YES
    6
    SILICON
    220mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    125mW
    FLAT
    NTUD3170NZ
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    200mW
    16.5 ns
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    12.5pF @ 15V
    25.5ns
    -
    80 ns
    280mA
    1V
    8V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    400μm
    1.05mm
    850μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.5Ohm
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