ON Semiconductor NTUD3170NZT5G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-963

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

220mA

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

142 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.5Ohm

最大功率耗散

125mW

终端形式

FLAT

基本部件号

NTUD3170NZ

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200mW

接通延迟时间

16.5 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12.5pF @ 15V

上升时间

25.5ns

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

280mA

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

400μm

长度

1.05mm

宽度

850μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅