NTUD3170NZT5G备选型号: NTUD3169CZT5G
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)8 WeeksTin表面贴装SOT-963YES6SILICON220mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR991.5Ohm125mWFLATNTUD3170NZ6Dual增强型MOSFET200mW16.5 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING1.5 Ω @ 100mA, 4.5V1V @ 250μA12.5pF @ 15V25.5ns80 ns280mA1V8V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门400μm1.05mm850μm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--
- ON SEMICONDUCTOR - NTUD3169CZT5G - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 220 mA, 0.75 ohm, SOT-963, Surface MountACTIVE (Last Updated: 5 days ago)8 WeeksTin表面贴装SOT-963YES6SILICON220mA 200mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-710mWFLATNTUD3169CZ6Dual增强型MOSFET200mW26 nsN and P-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 100mA, 4.5V1V @ 250μA12.5pF @ 15V46ns145 ns280mA1V8V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门400μm1.05mm850μm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅125mWN-CHANNEL AND P-CHANNEL
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTUD3169CZT5G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-963 | ON SEMICONDUCTOR - NTUD3169CZT5G - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 220 mA, 0.75 ohm, SOT-963, Surface Mount | 对比 | |
![]() | DMN26D0UDJ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-963 | MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 | 对比 |
| NTUD3171PZT5G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-963 | MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963 | 对比 |



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