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NTZS3151PT1H备选型号: DMC2004VK-7
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- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR8 Weeks表面贴装SOT-563, SOT-666YES6860mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010e3Obsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)Single5 nsP-Channel150m Ω @ 950mA, 4.5V1V @ 250μA458pF @ 16V5.6nC @ 4.5V12ns20V±8V18 ns860mA8V-20V无符合RoHS标准---------------------------
MOSFET N/P-CH 20V SOT-56319 Weeks表面贴装SOT-563, SOT-666-6670mA 530mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)--N and P-Channel550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16V-----670mA8V20V无ROHS3 Compliant表面贴装3.005049mgSILICONyes6900mOhmHIGH RELIABILITY400mWDUALFLAT26040DMC2004VK62增强型MOSFET1W450mWSWITCHINGN-CHANNEL AND P-CHANNELMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门600μm1.6mm1.2mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | ON SEMICONDUCTOR - NTZD3154NT1G - Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-563, Surface Mount | 对比 |
| DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | DMG1023UV Series 20 V 0.75 Ohm Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-563 | 对比 |
| DMC2004VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | 对比 |
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