NTZS3151PT1H备选型号: NTZD3154NT1G
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR8 Weeks表面贴装SOT-563, SOT-666YES6860mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010e3Obsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)Single5 nsP-Channel150m Ω @ 950mA, 4.5V1V @ 250μA458pF @ 16V5.6nC @ 4.5V12ns20V±8V18 ns860mA8V-20V无符合RoHS标准-------------------------
- ON SEMICONDUCTOR - NTZD3154NT1G - Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-563, Surface Mount15 Weeks表面贴装SOT-563, SOT-666YES62-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)Dual6 ns2 N-Channel (Dual)550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16V2.5nC @ 4.5V4ns--4 ns540mA6V20V无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 3 days ago)SILICONyes6400MOhm20V250mWFLAT260540mA40NTZD3154N6增强型MOSFET250mWSWITCHING1V0.54AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard600μm1.7mm1.3mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | ON SEMICONDUCTOR - NTZD3154NT1G - Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-563, Surface Mount | 对比 | |
![]() | DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | DMG1023UV Series 20 V 0.75 Ohm Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-563 | 对比 |
![]() | DMC2004VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | 对比 |



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