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首页 全部分类 NUS5531MTR2G vs DMP1245UFCL-7

NUS5531MTR2G备选型号: DMP1245UFCL-7

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  • 包装
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  • 端子表面处理
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  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 集电极电流-最大值(IC)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 漏源电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NUS5531MTR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN
    OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-WDFN Exposed Pad
    8
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    通用型
    2A PNP 5.47A P-Channel
    DUAL
    8
    Single
    增强型MOSFET
    1.46W
    DRAIN
    8 ns
    SWITCHING
    17.5ns
    17.5 ns
    PNP, P-Channel
    5.47A
    8V
    4.4A
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2A
    150
    32mOhm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP1245UFCL-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUFDFN
    6
    6.6A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    DUAL
    6
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    15.2 ns
    SWITCHING
    33.11ns
    217.64 ns
    -
    6.6A
    8V
    -
    -12V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    17 Weeks
    Gold
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    R-PDSO-N3
    1
    P-Channel
    29m Ω @ 4A, 4.5V
    950mV @ 250μA
    1357.4pF @ 10V
    26.1nC @ 8V
    12V
    ±8V
    0.029Ohm
    无SVHC
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